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サムスン電子、上半期のR&D費が過去最高の27兆ウォン
🗞 聯合ニュース (Yonhap)🕒 2026-08-14 18:00 JST2日前
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（見出し）サムスン電子、上半期のR&D費が過去最高の27兆ウォン
ソウル、8月14日（聯合ニュース）――サムスン電子は上半期（1～6月）に、過去最高となる27兆3千億ウォンを研究開発（R&D）に投じた……
※注記：提供された記事本文（body_en）はこの箇所で途切れており、以降の本文（内訳や前年比などの数値）は含まれていません。上記は見出しおよび入手できたリード文の冒頭のみの正確な訳です。数値や詳細の創作を避けるため、これ以上の全訳は行っていません。
解説
以下は公知の背景であり、途切れた本文の内容ではありません。サムスン電子は半導体（メモリー・ファウンドリー）とスマートフォン分野で世界競争にさらされ、特にHBM（広帯域メモリー）やAI向け先端半導体で米エヌビディア供給やSKハイニックスとの競争が焦点となっている。過去最高のR&D投資は、AI・先端プロセスでの巻き返しを狙う姿勢を示す。日本にとってはサムスンの調達がソニー製イメージセンサーや素材・製造装置メーカーの需要に直結し、東アジアの半導体供給網に影響する。（具体的数値は本文全文で要確認）
▾ 英語原文（聯合ニュース (Yonhap)）
SEOUL, Aug. 14 (Yonhap) -- Samsung Electronics Co. spent a record 27.3 trillion ...
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